通信技術的快速發展對電磁干擾屏蔽材料提出了更高的要求。然而，通過薄膜吸收電磁輻射來實現高屏蔽效率(SE)仍然是一個挑戰，但這正是微尺度、柔性和可穿戴設備所需解決的難題。2D碳化鈦MXene Ti₃C₂T_x，之前已被證明可以有效地反射電磁波。本文研究了超薄Ti₃C₂T_x薄膜的電磁屏蔽性能，并記錄了4nm厚薄膜高達50%的吸收率。結果測得，在4~40nm厚度薄膜的內部平均電導率達到10⁶S/m，同時平均弛豫時間估計約為2.3ps。本文數據與所報道的超薄金屬薄膜(如金)的數值相似，證明MXene材料可以取代貴金屬在電磁屏蔽上應用。同時也證明MXene的導電機制從直流電到太赫茲不會改變。報告指出EMI SE與透射、反射和吸收功率的**值相關，使得能夠解釋MXene EMI屏蔽的先前結果。*后MXene薄膜可以從溶液沉積到各種基底表面上，為屏蔽微型設備和個人電子產品提供了一種有吸引力的替代方案。

圖2. (a)反射、透射、吸收隨噴涂Ti₃C₂T_x 膜厚度的變化。在8nm處，觀察到50%的吸收。隨著厚度的增加，吸收減少，反射占主導地位  (b)反射率與SE_R (c)吸光度與SE_A (d)透過率與SE_T的相關關系

*后，分析了Ti₃C₂T_x薄膜與8.2~12.4GHz (X波段)電磁輻射的相互作用下隨薄膜厚度變化的規律。對4nm的薄膜，吸光度高達49%。隨著厚度的增加，反射占主導地位。這可以由阻抗匹配一半自由空間來解釋的，即允許*大的吸收。阻抗的實部用于計算交流電導率值，數值與用四探針測量的直流片電阻高度一致。據估計，兩種測量結果之間的體積平面內電導率幾乎無疑。這表明，在直流和交流下，導電機理是相同的，在微波頻率下的機理也可以用Drude模型來描述。基于這些結果，當阻抗條件匹配時，在較寬的頻率范圍內MXene薄膜可作為有效的吸收材料。因此通過設計可以制成多個納米薄膜來組裝成異質結構器件。結果再次證明了Ti₃C₂T_x的性能與摻雜Au薄膜相同；同時它具有多元元素（Ti、C和O）、易加工性以及獨特和可調的物理化學性質使MXene在未來技術中具有吸引力。