芯片減薄劃切過程中的UV膜與藍膜特性簡介
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上海卷柔新技術光電有限公司是一家專業研發生產光學儀器及其零配件的高科技企業,公司2005年成立在上海閔行零號灣創業園區,專業的光電鍍膜公司,技術背景依托中國科學院,卷柔產品主要涉及光學儀器及其零配件的研發和加工;光學透鏡、反射鏡、棱鏡,平板顯示,安防監控等光學鍍膜產品的開發和生產,為全球客戶提供上等的產品和服務。
Wafer在減薄之前,會在Wafer的正面貼一層粘性膜,該層膜的作用是在Wafer正面固定芯片,便于磨片機在Wafer的背面研磨硅片。一般研磨之前硅片的厚度在700 μm左右,研磨之后,Wafer的厚度變為200 μm,甚至達到120 μm的程度,具體將視客戶要求和芯片的應用環境情況而定,即Wafer減薄過程。Wafer在劃片之前,會將Wafer的背面粘一層膜,該層膜的作用是將芯片粘在膜上,可以保持晶粒在切割過程中的完整,減少切割過程中所產生的崩碎,確保晶粒在正常傳送過程中不會有位移和掉落的情況,即芯片后封測環節中的劃切過程,
如上所述,芯片減薄劃切過程中都用到了一種用于固定Wafer和固定芯片作用的膜。實際生產過程中,該種膜一般使用UV膜或藍膜。UV膜和藍膜在芯片減薄劃切過程中具有非常重要的作用,但兩者特性有明顯的區別。UV膜和藍膜均具有粘性,其粘性程度使用粘性剝離度來表示,通常單位使用N/20 mm或者N/25 mm,例如1 N/20 mm的意義是測試條寬度為20 mm,用180°的剝離角度從測試版上將其剝離的力是1 N。UV膜是將特殊配方的涂料涂布于PET薄膜基材表面,達到阻隔紫外光及短波長可見光的效果,圖1所示為通用的UV膜結構圖。一般UV膜由3層構成,其基層材質為聚乙烯氯化物,粘性層在中間,與粘性層相鄰的為覆層(Release film),部分UV膜型號沒有該覆層。UV膜通常叫紫外線照射膠帶,價格相對較高,未使用時有效期較短,它分為高粘性、中粘性和低粘性三種,對于高粘性的UV膜而言,其未經過紫外線照射時粘性很大,粘性剝離度大約在 5 000 m N/20 m m 到12 000 mN/20 mm左右,但是在紫外線燈光照射的時間延長和照射強度增加之后,剝離粘性度會降到1 000 mN/20 mm以下;對于低粘性的UV膜而言,未經過UV照射時,其剝離粘性度在1 000 mN/20 mm左右,而經過紫外線照射之后,其剝離粘性度會降到 100 mN/20 mm 左右;中粘性的UV膜的粘性剝離度介于高粘性UV膜和低粘性UV膜之間。低粘性的UV膜在通過一定時間和一定強度的紫外線照射后,盡管其粘性剝離度會降到100 mN/20 mm 左右,但在Wafer的表面不會有殘膠現象,晶粒容易取下;同時,UV膜具有適當的擴張性,在減薄劃片的過程中,水不會滲入晶粒和膠帶之間。藍膜通常叫電子級膠帶,價格較低,它是一種藍色的粘性度不變的膜,相對于未經過紫外線照射的高粘性UV膜,其粘性剝離度一般較低,對紫外線并不敏感,在(1 000 ~3 000)mN/20 mm間不等,而且受溫度影響會發生殘膠;*早命名是由于該膠帶為藍色,現在隨著技術的發展,也陸續出現了其他的顏色,而且用途也得到拓寬。UV膜和藍膜相比,UV膜較藍膜穩定。UV膜無論在紫外線照射之前還是照射之后,UV膜的粘性度都比較穩定,但成本較高;藍膜成本相對比較便宜,但是粘性度會隨著溫度的變化而發生變化,而且容易殘膠。通常來說,對于小芯片減薄劃片時使用UV膜,對于大芯片減薄劃片時使用藍膜,因為,UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強度來控制,防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切之后,直接上倒封裝標簽生產線,那么*好使用UV膜,因為倒封裝標簽生產線所使用的芯片一般均較小,而且設備頂針在藍膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍膜,可能使得頂針在頂起芯片過程中將芯片頂碎。RFID芯片面積一般均小于750 μm×750 μm,藍膜加框后的Wafer通常直接進行倒封裝為Inlay或者標簽,因此RFID芯片在后封測時通常使用UV膜。藍膜由于其受溫度影響粘性度會發生變化,而且本身粘性度較大,因此,一般面積較大的芯片或者Wafer剪薄劃切之后直接進行后封裝工藝,而非直接進行倒封裝工藝做Inlay時,可以考慮使用藍膜 [7] 。現階段,針對芯片尺寸小于1 mm的芯片,通常使用型號為D?184的低粘性UV膜。該UV膜僅僅有基層和粘性層,沒有覆層,其基層為PVC材料,厚度為80 μm,粘性層為丙烯酸樹脂漆(Acrylic),其厚度為10 μm,未經過紫外線照射之前的粘性剝離度為1 100 mN/25 mm,經過UV照射之后,粘性剝離度為70 mN/25 mm,因此其粘性范圍可以在(70~1 100)mN/25 mm內調整。該型號的UV膜具有一些特點:其一,該型號的UV膜,在硅片表面使用剝離角度為180°進行剝離時,其速度可以達到300 mN/25 mm;其二,該UV膜規定了自己的照射條件,紫外線照射密度為230m W /cm2 ,紫外線照射功率為190 mJ/cm 2 ;其三,輻射的紫外線波長應在365 nm左右。該UV膜實際使用時可能出現了一些問題,即在倒封裝生產線上出現了芯片漏抓的情況,主要是由于紫外線設備的功率沒有達到指定的要求,因此,在照射過程中,需要延長照射時間,來補充照射強度不夠的問題。如果遇到UV燈功率(能量)不足時,建議:其一,擦凈UV燈管和燈罩,改善UV光的反射效果;其二,UV燈老化應更換,瑞森特UV燈使用壽命1 500 h就應該更換;其三,提高UV燈管單位長度內的功率,保證達到 80~120 W/cm;其四,紫外線燈管使用一段時間后,燈管應旋轉 1 4 再用。采用D?184型UV膜實踐加工了多片Wafer,當照射時間控制在40~45 s時,后端倒封裝工藝進行非常順利,若小于規定的時間,則會出現漏摘甚至崩碎的芯片,因此根據UV膜的特性,調整合適的粘性度,能夠提高芯片產業化效率。UV膜與藍膜相比,它的粘性剝離度可變性使得其優越性很大,主要作用為:用于 Wafer 減薄過程中對Wafer進行固定;Wafer劃切過程中,用于保護芯片,防止其脫落或崩片;用于Wafer的翻轉和運輸,防止已經劃切之后的芯片發生脫落。規范使用UV膜和藍膜的各個參數,根據芯片所需要加工的工藝,選擇合適的UV膜或者藍膜,既可以節省成本,亦可以加快推進芯片產業化。
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上海卷柔新技術光電有限公司是一家專業研發生產光學儀器及其零配件的高科技企業,公司2005年成立在上海閔行零號灣創業園區,專業的光電鍍膜公司,技術背景依托中國科學院,卷柔產品主要涉及光學儀器及其零配件的研發和加工;光學透鏡、反射鏡、棱鏡,平板顯示,安防監控等光學鍍膜產品的開發和生產,為全球客戶提供上等的產品和服務。
采用德國薄膜制備工藝,形成了一套具有嚴格工藝標準的閉環式流程技術制備體系,能夠制備各種超高性能光學薄膜,包括紅外薄膜、增透膜,ARcoating,激光薄膜、特種薄膜、紫外薄膜、x射線薄膜,應用領域涉及激光切割、激光焊接、激光美容、醫用激光器、光學科研,紅外制導、面部識別、VR/AR應用,博物館,低反射櫥窗玻璃,畫框,工業燈具照明,廣告機,點餐機,電子白板,安防監控等。
卷柔新技術擁有自主知識產權的全自動生產線【sol-gel溶膠凝膠法鍍膜線】,這條生產線能夠生產全球先進的減反射玻璃。鍍膜版面可達到2440*3660mm,玻璃厚度從0.3mm到12mm都可以,另外針對PC,PMMA方面的增透膜也具有量產生產能力。ARcoating減反膜基本接近無色,色彩還原性好,并且可以避免了磁控濺射的缺點,鍍完增透膜后玻璃可以做熱彎處理和鋼化處理以及DIP打印處理。這個難度和具有很好的應用性,新意突出,實用性突出,濕法鍍膜在價格方面也均優于真空磁控的干法。
卷柔減反射(AR)玻璃的特點:高透,膜層無色,膜硬度高,抗老化性強(耐候性強于玻璃),玻璃長期使用存放不發霉,且有一定的自潔效果.AR增透減反膜玻璃產品廣泛應用于**文博展示、低反射幕墻、廣告機玻璃、節能燈具蓋板玻璃、液晶顯示器保護玻璃等多行業。
我們的愿景:卷柔讓光學更具價值!
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