在這項工作中，研究了3D打印納米結構氧化銅薄膜的相態、光敏區、能帶結構和光學質量對退火溫度（Ta）的依賴性。確定了在Ta≤400°C時沉積和退火的氧化銅薄膜都具有CuO相，在Ta=450°C時退火的薄膜對應于Cu₂O相。討論了兩相轉換的可能機制。確定了由吸收系數一階導數和Tauc方法確定的間接允許光學躍遷引起的CuO薄膜的帶隙分別對應于1.60 eV和1.35 eV。確定了在Ta=350°C時CuO薄膜的光學****。獲得的結果為獲得適合現代光電應用的材料開辟了道路，特別是用于開發環境友好型太陽能電池。

納米技術的快速發展需要新材料，這刺激了功能半導體氧化物納米材料受控合成的發展，納米結構薄膜的創建，以及對其獨特物理和化學性質的研究。這對于各種潛在應用至關重要。*廣泛的金屬氧化物納米材料之一是氧化銅，它具有兩種晶體修飾（Cu₂O和CuO）。這些銅氧化物的物理性質（結構、光學、電子等）變化強烈。特別是Cu₂O具有立方晶體對稱性。同時，CuO屬于單斜對稱。Cu₂O是一種p型材料，帶隙（Eg）等于2.50 eV。CuO也是一種p型半導體，Eg=1.48 eV。

應該注意的是，溫度退火對氧化銅薄膜物理特性影響的性質明顯取決于其生產技術。目前，有許多致力于研究不同氣氛下溫度退火對這些薄膜的結構、光學和其他物理特性的影響的工作。對這些工作的詳細分析表明，這種影響顯著取決于獲得氧化銅薄膜的技術。

特別是，通過一些方法（磁控管濺射、SILAR、脈沖激光、化學、SILAR、蒸發金屬銅和磁控管濺射）沉積的氧化銅薄膜的特征是沉積薄膜的Cu₂O立方相的形成。將這些薄膜退火到大約（350-400）℃時，觀察到Cu₂O立方相向單斜CuO相的轉化。此外，在某些溫度下也觀察到兩相的混合物。當使用其他薄膜沉積技術（噴霧熱解、溶膠-凝膠旋轉涂層、SILAR）時，沉積的薄膜具有CuO相。由于這種薄膜的退火，它們保留了這種結構，質量有所提高，或者在≥400℃的溫度下，它們轉化為Cu₂O相。還應該注意的是，這種相變的過程強烈地取決于技術條件（相變發生的氣氛、氣氛的壓力、退火溫度和時間等）。

因此，優化沉積氧化銅薄膜的任何技術都需要詳細研究退火條件對其物理性能的影響。已知目前，對氧化銅薄膜的3D打印技術的**研究是相當實際的，因為這種方法仍然沒有得到充分的發展。對通過3D打印獲得的任何薄膜的溫度退火的研究仍然不足以優化其生產的技術。同時，這項技術的發展非常重要，因為它開辟了其在快速發展的柔性電子產品中使用的可能性。本研究的目的是研究氬氣氛中的溫度退火對3D打印納米結構Cu_xO薄膜的光學和光電性能的影響，控制其相組成，建立電子躍遷的性質和能量結構的特征，并優化所研究薄膜的光學質量。